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天科合达申请高质量自支撑金刚石厚膜生长方法专利,减少多晶膜内部积累的应力

信息来源:jjjggg.com   时间: 2026-03-21  浏览次数:33


本文源自:市场资讯

国家知识产权局信息显示,北京天科合达半导体股份有限公司申请一项名为“一种高质量自支撑金刚石厚膜的生长方法”的专利,公开号CN121023461A,申请日期为2025年8月。

专利摘要显示,本发明属于多晶金刚石生长技术领域,尤其涉及一种高质量自支撑金刚石厚膜的生长方法。与现有技术相比,本发明通过在衬底上通过多次生长与退火处理得到多晶金刚石膜可减少多晶膜内部积累的应力的积累,得到质量自支撑金刚石厚膜。

天眼查资料显示,北京天科合达半导体股份有限公司,成立于2006年,位于北京市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本50600万人民币。通过天眼查大数据分析,北京天科合达半导体股份有限公司共对外投资了8家企业,参与招投标项目291次,财产线索方面有商标信息42条,专利信息202条,此外企业还拥有行政许可148个。

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