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国家知识产权局信息显示，南京三乐微波技术发展有限公司、南京三乐集团有限公司申请一项名为“一种用于MPCVD设备的偏压基台结构”的专利，公开号CN 120989709 A，申请日期为2025年9月。专利摘要显示，本发明涉及单晶金刚石制备技术领域，公开了一种用于MPCVD设备的偏压基台结构，包括腔体，所述腔体内部设置有陶瓷套筒，所述腔体外侧装有外接电源的KF单芯电极，所述腔体内壁顶部设置有基台环，基台垫板，所述基台垫板上表面设置有生长衬底，铜台，所述铜台与所述基台垫板、所述铜台与所述腔体之间均设置有绝缘结构，探针座与弹簧探针，其中所述弹簧探针为两根。本发明中，该偏压基台结构通过偏压传递组件，可借助外接电源向基台环和生长衬底分别施加不同偏压，从而实现保证腔体真空度的前提下向基台环和生长衬底分别施加不同偏压的效果，解决了现有技术难以实现此操作的问题，提高了金刚石生长的成核效率与薄膜均匀性。
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